Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.35V
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50,6 nC při 8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 13,91
€ 0,278 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 13,91
€ 0,278 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.35V
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50,6 nC při 8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku


