MOSFET DMN10H099SFG-7 N-kanálový 5,8 A 100 V, PowerDI3333-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
99 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,31 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25,2 nC při 10 V
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.77V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,27
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 0,27
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
99 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,31 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25,2 nC při 10 V
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.77V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products