MOSFET DMN10H099SK3-13 N-kanálový 17 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 921-1044PZnačka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: DMN10H099SK3-13
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

17 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

99 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

34 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25,2 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

0.77V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 8,02

€ 0,401 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET DMN10H099SK3-13 N-kanálový 17 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 8,02

€ 0,401 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET DMN10H099SK3-13 N-kanálový 17 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

17 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

99 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

34 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25,2 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

0.77V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more