Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
99 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
34 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25,2 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.77V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 8,02
€ 0,401 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 8,02
€ 0,401 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
99 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
34 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25,2 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.77V
Podrobnosti o výrobku


