MOSFET DMN10H220L-7 N-kanálový 1,6 A 100 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,36
€ 0,312 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)
Štandardný
30
€ 9,36
€ 0,312 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)
Štandardný
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 0,312 | € 9,36 |
| 150 - 420 | € 0,274 | € 8,23 |
| 450 - 870 | € 0,266 | € 7,98 |
| 900 - 2970 | € 0,26 | € 7,81 |
| 3000+ | € 0,253 | € 7,60 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products