MOSFET DMN1260UFA-7B N-kanálový 500 mA 12 V, X2-DFN0806, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
X2-DFN0806
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
0.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,96 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 14,50
€ 0,145 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 14,50
€ 0,145 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
X2-DFN0806
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
0.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,96 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products