Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
780 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,6 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 255,01
€ 0,085 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 255,01
€ 0,085 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,085 | € 255,01 |
9000+ | € 0,083 | € 248,64 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
780 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,6 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku