řada: DMN2056UMOSFET DMN2056U-7 N-kanálový 4 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
DMN2056U
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
940 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,3 nC při 10 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,30
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,30
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,30 | € 15,00 |
| 500 - 950 | € 0,13 | € 6,50 |
| 1000 - 1950 | € 0,10 | € 5,00 |
| 2000 - 2950 | € 0,10 | € 5,00 |
| 3000+ | € 0,09 | € 4,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
DMN2056U
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
940 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,3 nC při 10 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products