MOSFET DMN2400UV-7 N-kanálový 1,33 A 20 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.33 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
530 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
2
Breite
1.25mm
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,5 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 223,00
€ 0,074 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 223,00
€ 0,074 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.33 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
530 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
2
Breite
1.25mm
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,5 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products