Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PDI3333
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21 nC při 15 V
Höhe
0.8mm
Řada
DMN3016LDV
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PDI3333
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21 nC při 15 V
Höhe
0.8mm
Řada
DMN3016LDV
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku