MOSFET DMN3032LE-13 N-kanálový 15,4 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.55mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.55mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,3 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 47,76
€ 0,398 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
120
€ 47,76
€ 0,398 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
120
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 120 - 600 | € 0,398 | € 7,96 |
| 620 - 1240 | € 0,345 | € 6,90 |
| 1260+ | € 0,289 | € 5,78 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.55mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.55mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,3 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products