MOSFET DMN32D2LFB4-7 N-kanálový 300 mA 30 V, DFN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 822-2570Značka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: DMN32D2LFB4-7
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

300 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

350 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Počet prvků na čip

1

Länge

1.05mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Breite

0.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

0.35mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET DMN32D2LFB4-7 N-kanálový 300 mA 30 V, DFN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET DMN32D2LFB4-7 N-kanálový 300 mA 30 V, DFN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

300 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

350 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Počet prvků na čip

1

Länge

1.05mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Breite

0.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

0.35mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more