Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
1.05mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
0.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
0.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
1.05mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
0.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
0.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


