Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
940 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
730 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Maximální ztrátový výkon
710 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,6 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 11,04
€ 0,221 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 11,04
€ 0,221 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
940 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
730 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Maximální ztrátový výkon
710 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,6 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


