MOSFET DMN4036LK3-13 N-kanálový 12.2 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
61 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
8.49 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,2 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 12,18
€ 0,487 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 12,18
€ 0,487 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 50 | € 0,487 | € 12,18 |
| 75 - 225 | € 0,447 | € 11,18 |
| 250 - 475 | € 0,434 | € 10,86 |
| 500 - 975 | € 0,424 | € 10,61 |
| 1000+ | € 0,413 | € 10,32 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
61 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
8.49 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,2 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products