MOSFET DMN5L06VAK-7 N-kanálový 280 mA 50 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 822-2586Značka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: DMN5L06VAK-7
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

280 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-563

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

3 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-40 V, +40 V

Breite

1.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

1.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET DMN5L06VAK-7 N-kanálový 280 mA 50 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET DMN5L06VAK-7 N-kanálový 280 mA 50 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

280 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-563

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

3 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-40 V, +40 V

Breite

1.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

1.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more