Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V, +40 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V, +40 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


