MOSFET DMP1022UFDE-7 P-kanálový 9,1 A 12 V, U-DFN2020, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
2,03 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28,4 nC při 5 V
Breite
2.05mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.58mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
2,03 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28,4 nC při 5 V
Breite
2.05mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.58mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products