MOSFET DMP2006UFG-7 P-kanálový 17,5 A 20 V, PowerDI3333-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
3.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,04
€ 0,552 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 11,04
€ 0,552 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,552 | € 11,04 |
| 100 - 480 | € 0,384 | € 7,69 |
| 500 - 980 | € 0,345 | € 6,90 |
| 1000 - 2480 | € 0,308 | € 6,17 |
| 2500+ | € 0,278 | € 5,56 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
3.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products