Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
3.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
72 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 80,80
€ 0,202 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
400
€ 80,80
€ 0,202 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
400
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
400 - 975 | € 0,202 | € 5,05 |
1000+ | € 0,156 | € 3,90 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
3.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
72 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku