Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
72 nC při 4,5 V
Breite
3.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.85mm
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,17
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,17
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
72 nC při 4,5 V
Breite
3.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.85mm
Podrobnosti o výrobku