Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
3.95mm
Počet prvků na čip
1
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56,9 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
3.95mm
Počet prvků na čip
1
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56,9 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku


