MOSFET DMP2066UFDE-7 P-kanálový 6,2 A 20 V, U-DFN2020, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
2.03 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
2.05mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,4 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
2.03 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
2.05mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,4 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products