MOSFET DMP2305U-7 P-kanálový 4,2 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
113 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,20
€ 0,072 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 7,20
€ 0,072 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 100 - 500 | € 0,072 | € 7,20 |
| 600 - 1400 | € 0,068 | € 6,85 |
| 1500+ | € 0,056 | € 5,59 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
113 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products