Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DI5060
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Breite
6mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64,2 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
DMP
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,36
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,36
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DI5060
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Breite
6mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64,2 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
DMP
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku