MOSFET DMP3056LDM-7 P-kanálový 5 A 30 V, SOT-26, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-26
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
3.1mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,1 nC při 10 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 35,64
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
150
€ 35,64
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
150
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,238 | € 5,94 |
| 750 - 1475 | € 0,211 | € 5,27 |
| 1500+ | € 0,192 | € 4,80 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-26
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
3.1mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,1 nC při 10 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products