Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
3.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.2mm
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47,5 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 807,00
€ 0,323 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 807,00
€ 0,323 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
3.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.2mm
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47,5 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku