Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
45 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
810 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.35mm
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33,7 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 376,80
€ 0,188 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 376,80
€ 0,188 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerDI3333-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
45 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
810 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.35mm
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33,7 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku