Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
4.95mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
4.95mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


