Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
26 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DI5060
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.95mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30,6 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
DMP
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,67
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,67
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
26 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DI5060
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.95mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30,6 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
DMP
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku