Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
E-Line
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.41mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.77mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 26,85
€ 0,537 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
50
€ 26,85
€ 0,537 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Páska)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,537 | € 5,37 |
| 100 - 490 | € 0,522 | € 5,22 |
| 500 - 990 | € 0,508 | € 5,08 |
| 1000+ | € 0,497 | € 4,97 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
E-Line
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.41mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.77mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


