Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
260 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
240 V
Gehäusegröße
E-Line
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
750 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V, +40 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
2.41mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.77mm
Höhe
4.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 49,30
€ 0,986 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
50
€ 49,30
€ 0,986 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Páska)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,986 | € 4,93 |
| 100 - 245 | € 0,778 | € 3,89 |
| 250 - 495 | € 0,728 | € 3,64 |
| 500+ | € 0,712 | € 3,56 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
260 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
240 V
Gehäusegröße
E-Line
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
750 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V, +40 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
2.41mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.77mm
Höhe
4.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


