MOSFET ZVP2106A P-kanálový 280 mA 60 V, E-Line, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
E-Line
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.41mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.77mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,67
€ 0,667 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 6,67
€ 0,667 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 30 | € 0,667 | € 6,67 |
| 40 - 190 | € 0,602 | € 6,02 |
| 200 - 990 | € 0,535 | € 5,35 |
| 1000 - 1990 | € 0,466 | € 4,66 |
| 2000+ | € 0,401 | € 4,01 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
E-Line
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.41mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.77mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products