Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.8 A, 3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SM
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ, 330 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Full Bridge
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
4
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,9 nC při 10 V, 5,2 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 28,95
€ 1,93 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
15
€ 28,95
€ 1,93 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
15
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
15 - 45 | € 1,93 | € 9,65 |
50 - 245 | € 1,712 | € 8,56 |
250 - 495 | € 1,48 | € 7,40 |
500+ | € 1,286 | € 6,43 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.8 A, 3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SM
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ, 330 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Full Bridge
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
4
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,9 nC při 10 V, 5,2 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku