MOSFET ZXMHC3A01T8TA N/P-kanálový-kanálový 1,8 A, 3,1 A 30 V, SM, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si

Skladové číslo RS: 823-1877PZnačka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: ZXMHC3A01T8TA
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.8 A, 3.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SM

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ, 330 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

1.7 W

Konfigurace tranzistoru

Full Bridge

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

4

Länge

6.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3,9 nC při 10 V, 5,2 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 28,95

€ 1,93 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET ZXMHC3A01T8TA N/P-kanálový-kanálový 1,8 A, 3,1 A 30 V, SM, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si
Vyberte typ balenia

€ 28,95

€ 1,93 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET ZXMHC3A01T8TA N/P-kanálový-kanálový 1,8 A, 3,1 A 30 V, SM, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
15 - 45€ 1,93€ 9,65
50 - 245€ 1,712€ 8,56
250 - 495€ 1,48€ 7,40
500+€ 1,286€ 6,43

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.8 A, 3.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SM

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ, 330 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

1.7 W

Konfigurace tranzistoru

Full Bridge

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

4

Länge

6.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3,9 nC při 10 V, 5,2 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more