MOSFET ZXMHC3F381N8TC N/P-kanálový-kanálový 4,1 A, 4,98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si

Skladové číslo RS: 751-5344Značka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: ZXMHC3F381N8TC
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A, 4.98 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ, 80 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

1.35 W

Konfigurace tranzistoru

Full Bridge

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

4

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 4,94

€ 0,988 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET ZXMHC3F381N8TC N/P-kanálový-kanálový 4,1 A, 4,98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si
Vyberte typ balenia

€ 4,94

€ 0,988 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET ZXMHC3F381N8TC N/P-kanálový-kanálový 4,1 A, 4,98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A, 4.98 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ, 80 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

1.35 W

Konfigurace tranzistoru

Full Bridge

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

4

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more