řada: IntelliFETMOSFET ZXMS6004DT8TA N-kanálový 1,2 A 60 V, SM, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
IntelliFET
Gehäusegröße
SM
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2.13 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Materiál tranzistoru
Si
Länge
4.95mm
Breite
3.95mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
Samostatně chráněné tranzistory MOSFET, Diode Inc. od společnosti IntelliFET
Reproduktory IntelFET jsou samochráněné tranzistory MOSFET, které integrují celou řadu ochranných obvodů, které chrání před ESD (elektrostatické citlivé zařízení), nadproudem, přepětí a horními podmínkami.
Ochrana proti zkratu s automatickým restartem
Ochrana proti přepětí (aktivní svorka)
Ochrana proti nadproudu
Ochrana vstupu (ESD)
Vysoký jmenovitý nepřetržitý proud
Ochrana před vyložením břemena
Vstup na úrovni logiky
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 471,50
€ 0,472 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 471,50
€ 0,472 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
IntelliFET
Gehäusegröße
SM
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2.13 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Materiál tranzistoru
Si
Länge
4.95mm
Breite
3.95mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
Samostatně chráněné tranzistory MOSFET, Diode Inc. od společnosti IntelliFET
Reproduktory IntelFET jsou samochráněné tranzistory MOSFET, které integrují celou řadu ochranných obvodů, které chrání před ESD (elektrostatické citlivé zařízení), nadproudem, přepětí a horními podmínkami.
Ochrana proti zkratu s automatickým restartem
Ochrana proti přepětí (aktivní svorka)
Ochrana proti nadproudu
Ochrana vstupu (ESD)
Vysoký jmenovitý nepřetržitý proud
Ochrana před vyložením břemena
Vstup na úrovni logiky
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products