Technické dokumenty
Špecifikácie
Diodová konfigurace
Single
Maximální propustný proud
400mA
Počet prvků na čip
1
Montage-Typ
Through Hole
Maximální závěrné napětí
100V
Gehäusegröße
DO-35
Diodová technologie
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1V
Maximální kapacitance diody
4pF
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
4.56mm
Breite
1.91mm
Höhe
1.91mm
Abmessungen
1.91 (Dia.) x 4.56mm
Durchmesser
1.91mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Diodová konfigurace
Single
Maximální propustný proud
400mA
Počet prvků na čip
1
Montage-Typ
Through Hole
Maximální závěrné napětí
100V
Gehäusegröße
DO-35
Diodová technologie
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1V
Maximální kapacitance diody
4pF
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
4.56mm
Breite
1.91mm
Höhe
1.91mm
Abmessungen
1.91 (Dia.) x 4.56mm
Durchmesser
1.91mm