N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Fairchild BS170_D26Z
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.2mm
Breite
4.19mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Höhe
5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
50
P.O.A.
Štandardný
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.2mm
Breite
4.19mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Höhe
5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products