Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
800 mA
Kollektor-Emitter-
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Breite
3.5mm
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.6mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
800 mA
Kollektor-Emitter-
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Breite
3.5mm
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.6mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Maximální ztrátový výkon
1 W