IGBT HGTG12N60A4D N-kanálový 54 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 671-5420Značka: Fairchild SemiconductorČíslo dielu výrobcu: HGTG12N60A4D
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

54 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Maximální pracovní teplota

150 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT HGTG12N60A4D N-kanálový 54 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3
Vyberte typ balenia

P.O.A.

IGBT HGTG12N60A4D N-kanálový 54 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

54 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Maximální pracovní teplota

150 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more