Technické dokumenty
Špecifikácie
Dauer-Kollektorstrom max.
21 A
Kollektor-Emitter-
450 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±14V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,56
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 2,56
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,56 | € 12,80 |
10 - 95 | € 2,19 | € 10,95 |
100 - 245 | € 1,70 | € 8,50 |
250 - 495 | € 1,64 | € 8,20 |
500+ | € 1,51 | € 7,55 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Dauer-Kollektorstrom max.
21 A
Kollektor-Emitter-
450 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±14V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.