IGBT ISL9V5036S3ST N-kanálový 46 A 420 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
46 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
420 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±14V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 35,88
€ 3,588 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 35,88
€ 3,588 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 3,588 | € 17,94 |
| 100 - 245 | € 2,87 | € 14,35 |
| 250 - 495 | € 2,706 | € 13,53 |
| 500+ | € 2,556 | € 12,78 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
46 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
420 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±14V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products