Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricMaximální stejnosměrný proud kolektoru
900 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
4.28 kW
Gehäusegröße
M153
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
4
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
108 x 62 x 36mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 1-Pack, Fuji Electric
Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada HH, vysokorychlostní volba IGBT Planar-NPT
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricMaximální stejnosměrný proud kolektoru
900 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
4.28 kW
Gehäusegröße
M153
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
4
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
108 x 62 x 36mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 1-Pack, Fuji Electric
Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada HH, vysokorychlostní volba IGBT Planar-NPT
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.