Napájecí modul Smart 6MBP50VBA-120-50 N-kanálový 50 A 1200 V, P 626, počet kolíků: 24 20kHz 3fázový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricDauer-Kollektorstrom max.
50 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální ztrátový výkon
255 W
Konfiguration
3fázový
Gehäusegröße
P 626
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
24
Rychlost spínání
20kHz
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
87 x 50.2 x 12mm
Betriebstemperatur max.
+110 °C
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Ipm (Intelligent Power Module) IGBT, řada V, Fuji Electric
Fuji Electric V-series Intelligent Power Modules (IPM) jsou vybaveny hnacími, řídicími a ochrannými obvody IGBT. Snadno se implementují v aplikacích řízení spotřeby pro servis na střídavý proud, klimatizaci a výtahy. Vestavěné ochranné funkce optimalizují a prodlužují životnost IGBT IPM, čímž zajišťují vysokou spolehlivost systému. Moduly IPM jsou vybaveny ochranou proti nadproudu, zkratu, poklesu řídicího napětí a přehřívání a obsahují výstupní poplachové signály.
6MBP... Bez řezačky slámy
7MBP... S řezačkou
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricDauer-Kollektorstrom max.
50 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální ztrátový výkon
255 W
Konfiguration
3fázový
Gehäusegröße
P 626
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
24
Rychlost spínání
20kHz
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
87 x 50.2 x 12mm
Betriebstemperatur max.
+110 °C
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Ipm (Intelligent Power Module) IGBT, řada V, Fuji Electric
Fuji Electric V-series Intelligent Power Modules (IPM) jsou vybaveny hnacími, řídicími a ochrannými obvody IGBT. Snadno se implementují v aplikacích řízení spotřeby pro servis na střídavý proud, klimatizaci a výtahy. Vestavěné ochranné funkce optimalizují a prodlužují životnost IGBT IPM, čímž zajišťují vysokou spolehlivost systému. Moduly IPM jsou vybaveny ochranou proti nadproudu, zkratu, poklesu řídicího napětí a přehřívání a obsahují výstupní poplachové signály.
6MBP... Bez řezačky slámy
7MBP... S řezačkou
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products