DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT FGW75N60HD N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 168-4686Značka: Fuji ElectricČíslo dielu výrobcu: FGW75N60HD
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

500 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.9 x 5.03 x 20.95mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT FGW75N60HD N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT FGW75N60HD N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

500 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.9 x 5.03 x 20.95mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more