řada: Super J-MOSMOSFET FMW30N60S1HF N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
Super J-MOS
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
220 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.03mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
73 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, Super J MOS, Fuji Electric
Napájení MOSFET v režimu rozšíření N-Channel
- Nízký odpor
- Nízký šum
- Nízká spínací ztráta
MOSFET Transistors, Fuji Electric
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
Super J-MOS
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
220 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.03mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
73 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, Super J MOS, Fuji Electric
Napájení MOSFET v režimu rozšíření N-Channel
- Nízký odpor
- Nízký šum
- Nízká spínací ztráta
MOSFET Transistors, Fuji Electric
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products