Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,4 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 44,60
€ 0,045 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
1000
€ 44,60
€ 0,045 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
1000 - 2400 | € 0,045 | € 4,46 |
2500 - 4900 | € 0,043 | € 4,27 |
5000 - 9900 | € 0,041 | € 4,09 |
10000+ | € 0,038 | € 3,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,4 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.