DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET AUIRF3205Z N-kanálový 110 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 737-7436PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: AUIRF3205Z
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

110 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

170 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

76 nC při 10 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.51mm

Podrobnosti o výrobku

Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon

Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,83

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET AUIRF3205Z N-kanálový 110 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 2,83

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET AUIRF3205Z N-kanálový 110 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 2,83
10 - 49€ 2,69
50 - 99€ 2,63
100 - 249€ 2,46
250+€ 2,30

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

110 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

170 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

76 nC při 10 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.51mm

Podrobnosti o výrobku

Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon

Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more