Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.295 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon
€ 4 834,92
€ 1,612 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 4 834,92
€ 1,612 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.295 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon