Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.295 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon
€ 13,92
€ 2,784 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 13,92
€ 2,784 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,784 | € 13,92 |
| 50 - 120 | € 2,45 | € 12,25 |
| 125 - 245 | € 2,312 | € 11,56 |
| 250 - 495 | € 2,144 | € 10,72 |
| 500+ | € 1,976 | € 9,88 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.295 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon


