Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
89 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
18 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
170 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
98 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.66mm
Breite
4.82mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon
Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,81
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 2,81
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 2,81 |
10 - 24 | € 2,67 |
25 - 49 | € 2,55 |
50 - 99 | € 2,45 |
100+ | € 2,27 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
89 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
18 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
170 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
98 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.66mm
Breite
4.82mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon
Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.