řada: HEXFETMOSFET AUIRL3705N N-kanálový 89 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 748-1894PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: AUIRL3705N
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

89 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

18 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

170 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

98 nC při 5 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

10.66mm

Breite

4.82mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon

Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,81

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET AUIRL3705N N-kanálový 89 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 2,81

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET AUIRL3705N N-kanálový 89 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 2,81
10 - 24€ 2,67
25 - 49€ 2,55
50 - 99€ 2,45
100+€ 2,27

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

89 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

18 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

170 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

98 nC při 5 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

10.66mm

Breite

4.82mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Automobilový průmysl, N-Channel, MOSFET Infineon

Komplexní portfolio zařízení N-channel s podporou technologie AECQ-101, které Infineon má kapacitu pro automobilový průmysl, řeší v mnoha aplikacích širokou škálu požadavků na napájení. Tato řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje N-kanálové zařízení v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarových faktorech, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more